漢磊科技股份有限公司
統編 54389725
核准設立
負責人
徐建華
資本額
7,000,000,000 元
設立日期
民國103年10月01日 (2014-10-01)
登記機關
國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局
地址
新竹科學園區新竹縣寶山鄉創新一路18號1樓
漢磊科技股份有限公司 成立於 2014 年， 位於新竹科學園區， 負責人為 徐建華， 資本額 7,000,000,000 元， 目前公司狀態為核准設立。
公司登記資料
商工登記基本資訊
| 負責人姓名 | 徐建華 |
| 公司狀態 | 核准設立 |
| 資本額 | 7,000,000,000 元 |
| 實收資本額 | 3,964,719,090 元 |
| 登記機關 | 國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局 |
| 設立日期 | 民國103年10月01日 (2014-10-01) |
| 變更核准日期 | 民國115年05月18日 (2026-05-18) |
| 撤銷申請日期 | — |
| 案件狀態代碼 | — |
| 案件狀態說明 | — |
| 停業申請日期 | — |
| 停業開始日期 | — |
| 停業結束日期 | — |
營業項目與補充資料
登記之完整營業項目清單
| 序號 | 項目代碼 | 項目說明 |
|---|---|---|
| 1 | CC01080 | 電子零組件製造業 |
| 2 | I501010 | 產品設計業 |
| 3 | IZ99990 | 其他工商服務業(線性積體電路及混合型積體電路之測試) |
| 4 | I199990 | 其他顧問服務業(磊晶應用諮詢顧問服務及半導體雜質分佈研究之諮詢服務) |
| 5 | F401010 | 國際貿易業 1. 以下各項目及其應用產品之研究發展、設計、製造、銷售、推廣及售後服務： (1)磊晶、矽晶片製造及銷售 (2)磊晶應用諮詢顧問服務 (3)半導體雜質分佈研究之諮詢服務 (4)線性積體電路製造服務及測試 (5)混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試 2.研究及開發下列製程技術以從事六吋矽晶圓代工服務： (1)溝槽式高功率場效電晶體(Trench Power MOSFET)及絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)製程 (2)0.5um以下雙載子製程(Bipolar) (3)0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程(Bicmos) (4)高功率積體電路製程(Bipolar, CMOS, Diffusion; BCD) |
常見問題 FAQ
關於漢磊科技股份有限公司的常見問答
A：統一編號為 54389725。
資料僅供參考，實際登記內容以政府公開資料為準。