聯穎光電股份有限公司
統編 53170263
核准設立
負責人
賴明哲
資本額
2,400,000,000 元
設立日期
民國99年10月18日 (2010-10-18)
登記機關
國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局
地址
新竹科學園區新竹縣創新一路10號3樓
聯穎光電股份有限公司 成立於 2010 年， 位於新竹科學園區， 負責人為 賴明哲， 資本額 2,400,000,000 元， 目前公司狀態為核准設立。
公司登記資料
商工登記基本資訊
| 負責人姓名 | 賴明哲 |
| 公司狀態 | 核准設立 |
| 資本額 | 2,400,000,000 元 |
| 實收資本額 | 1,899,517,030 元 |
| 登記機關 | 國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局 |
| 設立日期 | 民國99年10月18日 (2010-10-18) |
| 變更核准日期 | 民國115年05月19日 (2026-05-19) |
| 撤銷申請日期 | — |
| 案件狀態代碼 | — |
| 案件狀態說明 | — |
| 停業申請日期 | — |
| 停業開始日期 | — |
| 停業結束日期 | — |
營業項目與補充資料
登記之完整營業項目清單
| 序號 | 項目代碼 | 項目說明 |
|---|---|---|
| 1 | CC01080 | 電子零組件製造業 |
| 2 | F401010 | 國際貿易業 |
| 3 | CC01060 | 有線通信機械器材製造業 |
| 4 | CC01070 | 無線通信機械器材製造業 研究、設計、開發、製造及銷售下列產品： (1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率 電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A mplifier & pHEMT RF Switch Device) (2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer) (3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer) (4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer） (5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片（High Voltage GaAs HBT Epiwafer） (6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE MT Epiwafer) (7)積體電路 (8)各種半導體零組件 (9)積體電路測試與包裝 |
常見問題 FAQ
關於聯穎光電股份有限公司的常見問答
A：統一編號為 53170263。
資料僅供參考，實際登記內容以政府公開資料為準。